LSIC2SD170B50
DIODE SIL CARB 1.7KV 135A TO247
LSIC2SD170B50 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
تكنولوجيا：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
سرعة：
No Recovery Time > 500mA (Io)
عكس وقت الاسترداد (trr)：
0 ns
درجة حرارة التشغيل - الوصلة：
-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.8 V @ 50 A
الحزمة / القضية：
TO-247-2
حزمة جهاز المورد：
TO-247-2
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)：
1700 V
Current - Reverse Leakage @ Vr：
100 µA @ 1700 V
Current - Average Rectified (Io)：
135A
Capacitance @ Vr, F：
3900pF @ 1V, 1MHz
