IXTP14N60X2
MOSFET N-CH 600V 14A TO220
IXTP14N60X2 Specifications
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Vgs (máx.)：
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
600 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-220
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
740 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
180W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
16.7 nC @ 10 V
