LSIC2SD065D16A
DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263
LSIC2SD065D16A Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Qualification：
AEC-Q101
Tecnología：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)：
650 V
Velocidad：
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
0 ns
Temperatura de funcionamiento: unión：
-55°C ~ 175°C
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr：
50 µA @ 650 V
Current - Average Rectified (Io)：
38A
Capacitance @ Vr, F：
730pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.8 V @ 16 A
