IXFH34N65X3
MOSFET 34A 650V X3 TO247
IXFH34N65X3 Specifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
34A (Tc)
Tension drain-source (Vdss)：
650 V
Colis/Caisse：
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
446W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-247 (IXFH)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.2V @ 2.5mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2025 pF @ 25 V
