IXTP14N60X2
MOSFET N-CH 600V 14A TO220
IXTP14N60X2 Specifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-220-3
Vgs (Max)：
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss)：
600 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-220
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
740 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
180W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
16.7 nC @ 10 V
