LSIC2SD170B10
DIODE SIL CARB 1.7KV 31A TO247-2
LSIC2SD170B10 Specifications
Type de montage:
Through Hole
Technologie:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversée (trr):
0 ns
Température de fonctionnement - Jonction:
-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.8 V @ 10 A
Colis/Caisse:
TO-247-2
Current - Average Rectified (Io):
31A
Package d'appareil du fournisseur:
TO-247-2
Tension - CC inverse (Vr) (Max):
1700 V
Current - Reverse Leakage @ Vr:
100 µA @ 1700 V
Capacitance @ Vr, F:
757pF @ 1V, 1MHz