IXFH70N65X3
MOSFET 70A 650V X3 TO247
IXFH70N65X3 Specifications
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
650 V
パッケージ・ケース：
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.2V @ 4mA
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-247 (IXFH)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
44mOhm @ 35A, 10V
