LSIC2SD170B50
DIODE SIL CARB 1.7KV 135A TO247
LSIC2SD170B50 Specifications
取付タイプ：
Through Hole
テクノロジー：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
スピード：
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr)：
0 ns
動作温度 - ジャンクション：
-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.8 V @ 50 A
パッケージ・ケース：
TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-247-2
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)：
1700 V
Current - Reverse Leakage @ Vr：
100 µA @ 1700 V
Current - Average Rectified (Io)：
135A
Capacitance @ Vr, F：
3900pF @ 1V, 1MHz
