IX4351NE
MOSFET IGBT SIC DRIVER 9A
IX4351NE Specifications
장착 유형:
Surface Mount
DigiKey Programmable:
Not Verified
작동 온도:
-40°C ~ 125°C (TA)
구동 구성:
Low-Side
패키지/케이스:
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
채널 유형:
Single
운전자 수:
1
게이트 유형:
IGBT, SiC MOSFET
상승/하강 시간(일반):
10ns, 10ns
전류 - 피크 출력(소스, 싱크):
9A, 9A
공급자 장치 패키지:
16-SOIC-EP
입력 유형:
CMOS, TTL
전압 - 공급:
-10V ~ 25V
논리 전압 - VIL, VIH:
1V, 2.2V