IXTH60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247
IXTH60N20X4 Specifications
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
패키지/케이스：
TO-247-3
드레인-소스 전압(Vdss)：
200 V
Power Dissipation (Max)：
250W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2450 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
21mOhm @ 30A, 10V
공급자 장치 패키지：
TO-247 (IXFH)
