IXTH60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247
IXTH60N20X4 Specifications
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
TO-247-3
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
200 V
Power Dissipation (Max)：
250W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2450 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
21mOhm @ 30A, 10V
Пакет устройств поставщика：
TO-247 (IXFH)
