IXFH34N65X3
MOSFET 34A 650V X3 TO247
IXFH34N65X3 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
34A (Tc)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
650 V
الحزمة / القضية：
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
446W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
TO-247 (IXFH)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
100mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.2V @ 2.5mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2025 pF @ 25 V
