IXFH70N65X3
MOSFET 70A 650V X3 TO247
IXFH70N65X3 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
650 V
الحزمة / القضية：
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.2V @ 4mA
حزمة جهاز المورد：
TO-247 (IXFH)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
44mOhm @ 35A, 10V
