IXFH98N60X3
MOSFET ULTRA JCT 600V 98A TO247
IXFH98N60X3 Specifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
600 V
Colis/Caisse：
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
90 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5V @ 4mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6250 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
960W (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
98A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 49A, 10V
