IXTT110N10L2-TRL
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
IXTT110N10L2-TRL Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
110A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
600W (Tc)
Colis/Caisse：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
10500 pF @ 25 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 55A, 10V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-268 (IXTT)
