LSIC1MO120G0080
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
LSIC1MO120G0080 Specifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
1200 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
20V
Colis/Caisse：
TO-247-4
Technologie：
SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max)：
214W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 10mA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
39A (Tc)
Vgs (Max)：
+22V, -6V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
92 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
170 pF @ 800 V
