LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
LSIC1MO120G0160 Specifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
125W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)：
1200 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
20V
Colis/Caisse：
TO-247-4
Technologie：
SiCFET (Silicon Carbide)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
22A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 5mA
Vgs (Max)：
+22V, -6V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
200mOhm @ 10A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
890 pF @ 800 V
