IXFT60N60X3HV
MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
IXFT60N60X3HV Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
60A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5V @ 4mA
パッケージ・ケース：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
51 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
625W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3450 pF @ 25 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-268HV (IXFT)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
51mOhm @ 30A, 10V
