IXTT110N10L2-TRL
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
IXTT110N10L2-TRL Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
110A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
600W (Tc)
パッケージ・ケース：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
10500 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
18mOhm @ 55A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-268 (IXTT)
