LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
LSIC1MO120G0160 Specifications
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
125W (Tc)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1200 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
20V
パッケージ・ケース：
TO-247-4
テクノロジー：
SiCFET (Silicon Carbide)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
22A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 5mA
Vgs (最大)：
+22V, -6V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
200mOhm @ 10A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
890 pF @ 800 V
