LSIC1MO170E0750
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
LSIC1MO170E0750 Specifications
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-247AD
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
テクノロジー：
SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max)：
60W (Tc)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1700 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
6.2A (Tc)
Vgs (最大)：
+22V, -6V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
1Ohm @ 2A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
200 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 20 V
