LSIC1MO170T0750
SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
LSIC1MO170T0750 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
テクノロジー：
SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max)：
65W (Tc)
パッケージ・ケース：
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1700 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
6.4A (Tc)
Vgs (最大)：
+22V, -6V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263-7L
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
1Ohm @ 2A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
200 pF @ 1000 V
