IXFH98N60X3
MOSFET ULTRA JCT 600V 98A TO247
IXFH98N60X3 Specifications
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
600 V
패키지/케이스：
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
90 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5V @ 4mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6250 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
960W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
98A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 49A, 10V
