IXTT110N10L2-TRL
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
IXTT110N10L2-TRL Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
110A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
600W (Tc)
패키지/케이스：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
10500 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 55A, 10V
공급자 장치 패키지：
TO-268 (IXTT)
