LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
LSIC1MO120G0160 Specifications
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
125W (Tc)
드레인-소스 전압(Vdss)：
1200 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
20V
패키지/케이스：
TO-247-4
기술：
SiCFET (Silicon Carbide)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
22A (Tc)
공급자 장치 패키지：
TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 5mA
Vgs(최대)：
+22V, -6V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
200mOhm @ 10A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
890 pF @ 800 V
