LSIC1MO170T0750
SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
LSIC1MO170T0750 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
기술：
SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max)：
65W (Tc)
패키지/케이스：
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
드레인-소스 전압(Vdss)：
1700 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
6.4A (Tc)
Vgs(최대)：
+22V, -6V
공급자 장치 패키지：
TO-263-7L
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1Ohm @ 2A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
200 pF @ 1000 V
