IXTT110N10L2-TRL
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
IXTT110N10L2-TRL Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
110A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
600W (Tc)
Пакет/кейс：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
10500 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 55A, 10V
Пакет устройств поставщика：
TO-268 (IXTT)
