LSIC1MO120G0080
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
LSIC1MO120G0080 Specifications
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
1200 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
20V
Пакет/кейс：
TO-247-4
Технологии：
SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max)：
214W (Tc)
Пакет устройств поставщика：
TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 10mA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
39A (Tc)
ВГС (Макс)：
+22V, -6V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
92 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
170 pF @ 800 V
