LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
LSIC1MO120G0160 Specifications
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
125W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
1200 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
20V
Пакет/кейс：
TO-247-4
Технологии：
SiCFET (Silicon Carbide)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
22A (Tc)
Пакет устройств поставщика：
TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 5mA
ВГС (Макс)：
+22V, -6V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
200mOhm @ 10A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
890 pF @ 800 V
