IXFP34N65X3
MOSFET 34A 650V X3 TO220
IXFP34N65X3 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-220-3
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
34A (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
446W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
100mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.2V @ 2.5mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2025 pF @ 25 V
供应商设备包：
TO-220-3 (IXFP)
