IXTH60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247
IXTH60N20X4 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
包装/箱：
TO-247-3
漏源电压 (Vdss)：
200 V
Power Dissipation (Max)：
250W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2450 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
21mOhm @ 30A, 10V
供应商设备包：
TO-247 (IXFH)
