LSIC1MO120G0120
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
LSIC1MO120G0120 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
27A (Tc)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
1200 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
20V
Power Dissipation (Max)：
156W (Tc)
الحزمة / القضية：
TO-247-4
تكنولوجيا：
SiCFET (Silicon Carbide)
حزمة جهاز المورد：
TO-247-4L
في جي إس (الحد الأقصى)：
+22V, -6V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
150mOhm @ 14A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
63 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1130 pF @ 800 V
