IXFH70N65X3
MOSFET 70A 650V X3 TO247
IXFH70N65X3 Specifications
Mounting Type：
Through Hole
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
650 V
Package / Case：
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.2V @ 4mA
Supplier Device Package：
TO-247 (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
44mOhm @ 35A, 10V
