IXFP34N65X3
MOSFET 34A 650V X3 TO220
IXFP34N65X3 Specifications
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
34A (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
446W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.2V @ 2.5mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2025 pF @ 25 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-220-3 (IXFP)
