IXTY2P50PA
AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHAN
IXTY2P50PA Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-252
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
2A (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
500 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max)：
58W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
600 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
4.2Ohm @ 500mA, 10V
