IXTA60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263
IXTA60N20X4 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
200 V
Power Dissipation (Max)：
250W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2450 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
21mOhm @ 30A, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263 (IXTA)
