IXFH60N60X3
MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247
IXFH60N60X3 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
600 V
包装/箱：
TO-247-3
供应商设备包：
TO-247
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
60A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
51 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
625W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3450 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
51mOhm @ 30A, 10V
