IXTT110N10L2-TRL
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
IXTT110N10L2-TRL 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
110A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
600W (Tc)
包装/箱：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
10500 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
18mOhm @ 55A, 10V
供应商设备包：
TO-268 (IXTT)
