LSIC1MO120G0040
MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
LSIC1MO120G0040 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
1200 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
20V
包装/箱：
TO-247-4
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
供应商设备包：
TO-247-4L
Power Dissipation (Max)：
357W (Tc)
Vgs（最大）：
+22V, -6V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
317 pF @ 800 V
