LSIC1MO120G0080
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
LSIC1MO120G0080 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
1200 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
20V
包装/箱：
TO-247-4
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max)：
214W (Tc)
供应商设备包：
TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 10mA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
39A (Tc)
Vgs（最大）：
+22V, -6V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
92 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
170 pF @ 800 V
