LSIC1MO120G0120
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
LSIC1MO120G0120 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
27A (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
1200 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
20V
Power Dissipation (Max)：
156W (Tc)
包装/箱：
TO-247-4
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
供应商设备包：
TO-247-4L
Vgs（最大）：
+22V, -6V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
150mOhm @ 14A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
63 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1130 pF @ 800 V
