LSIC1MO170E0750
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
LSIC1MO170E0750 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱：
TO-247-3
供应商设备包：
TO-247AD
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max)：
60W (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
1700 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.2A (Tc)
Vgs（最大）：
+22V, -6V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1Ohm @ 2A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
200 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 20 V
