LSIC1MO170T0750
SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
LSIC1MO170T0750 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max)：
65W (Tc)
包装/箱：
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
漏源电压 (Vdss)：
1700 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.4A (Tc)
Vgs（最大）：
+22V, -6V
供应商设备包：
TO-263-7L
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1Ohm @ 2A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
200 pF @ 1000 V
