IXTA3N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
IXTA3N100D2-TRL Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1000 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
Supplier Device Package：
TO-263 (D2PAK)
Package / Case：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max)：
125W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
0V
FET Feature：
Depletion Mode
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1020 pF @ 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
3A (Tj)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
37.5 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
6Ohm @ 1.5A, 0V
