LSIC1MO120G0080
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
LSIC1MO120G0080 Specifications
Mounting Type：
Through Hole
FET Type：
N-Channel
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
20V
Package / Case：
TO-247-4
Technology：
SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max)：
214W (Tc)
Supplier Device Package：
TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 10mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
39A (Tc)
Vgs (Max)：
+22V, -6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
92 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
170 pF @ 800 V
