LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
LSIC1MO120G0160 Specifications
Mounting Type：
Through Hole
FET Type：
N-Channel
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
20V
Package / Case：
TO-247-4
Technology：
SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
22A (Tc)
Supplier Device Package：
TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 5mA
Vgs (Max)：
+22V, -6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
200mOhm @ 10A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
890 pF @ 800 V
