IXFH98N60X3
MOSFET ULTRA JCT 600V 98A TO247
IXFH98N60X3 Specifications
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
600 V
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
90 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5V @ 4mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6250 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
960W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
98A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 49A, 10V
