LSIC1MO120G0040
MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
LSIC1MO120G0040 Specifications
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1200 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
20V
Paquete / Estuche：
TO-247-4
Tecnología：
SiCFET (Silicon Carbide)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
70A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247-4L
Power Dissipation (Max)：
357W (Tc)
Vgs (máx.)：
+22V, -6V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
317 pF @ 800 V
