LSIC1MO170T0750
SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
LSIC1MO170T0750 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Tecnología：
SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max)：
65W (Tc)
Paquete / Estuche：
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1700 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6.4A (Tc)
Vgs (máx.)：
+22V, -6V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263-7L
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1Ohm @ 2A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
200 pF @ 1000 V
